STPOWER車載用SiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETは、効率的かつ小型の設計を実現する革新的なソリューションです。STは、ワイド･バンドギャップ材料デバイスの量産を拡大しています。650V / 1200V / 1700Vの幅広い電圧範囲に対応するSTPOWER 車載用SiCパワーMOSFETは、きわめて低いオン抵抗RDS(on)を特徴とし、各種車載および産業機器アプリケーションに適しています。また、車載用認定製品で、AEC-Q101に準拠しています。
主な特徴
- きわめて高い耐熱性（max. TJ = 200°C）
- スイッチング損失の大幅な削減（温度による変動の最小化）
- 低いオン抵抗
- シンプルなゲート駆動
- きわめて高速かつ堅牢なボディ
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SCTW100N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCTW40N120G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCTW35N65G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCTH40N120G2V7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCTH100N65G2-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 95 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCT20N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
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SCTW100N65G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCT10N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCT1000N170AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCT20N170AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ., Tj = 25 C) in an HiP247 package
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SCTH35N65G2V-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCTWA35N65G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
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SCTW60N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 package
