STPSC2H065

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650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, the STPSC2H065 SiC diode will boost performance in hard switching conditions.
  • 特徴

    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • High forward surge capability
    • ECOPACK2 compliant component
    • Power efficient product

推奨コンテンツ

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    • 製品型番
      ステータス
      概要
      タイプ
      サプライヤ

      ST Diode Finder

      量産中

      Diode product finder application for Android and iOS

      Finder Apps ST
      ST Diode Finder

      概要:

      Diode product finder application for Android and iOS

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC2H065

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC2H065B-TR
量産中
DPAK インダストリアル Ecopack2

STPSC2H065B-TR

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tape And Reel DPAK - - 0.542 / 100
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CHINA

STPSC2H065B-TR

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EAR99

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0.542 / 100

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NEC

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Tape And Reel

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(最小)

-

(最大)

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0.542 / 100

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィス または販売代理店 までお問い合わせください。