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SCTL35N65G2V

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PowerFLAT 8 x 8 HVパッケージで提供される650V、55mΩ（Typ.）、40AのSiCパワーMOSFET

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製品概要

概要

SCTL35N65G2Vは、STの先進的かつ革新的な第2世代SiC MOSFETテクノロジーを使用して開発されたSiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETです。きわめて低いオン抵抗（単位面積あたり）と優れたスイッチング性能を備え、接合部温度に対して安定したスイッチング損失を特徴とします。

特徴
高速かつ堅牢な内蔵ボディ･ダイオード

低い静電容量

高効率を実現するソース･センシング･ピン
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1200 V SiC MOSFETs

Industry's highest temperature rating of 200 °C

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製品スペック (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS13474 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package 1.0		03 Dec 2020	03 Dec 2020 DS13474 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package 1.0

アプリケーションノート (3)

	Resource title	Latest update
PDF	AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1	03 Apr 2020	03 Apr 2020 AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1
PDF	AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0	15 Jul 2019	15 Jul 2019 AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0
PDF	AN3152 The right technology for solar converters 1.4	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN3152 The right technology for solar converters 1.4

技術ノート & 解説 (2)

	Resource title		Latest update
PDF	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2		03 Apr 2020	03 Apr 2020 TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2
PDF	TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0		22 Sep 2020	22 Sep 2020 TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0

ユーザ･マニュアル (1)

	Resource title		Latest update
PDF	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3		21 Oct 2016	21 Oct 2016 UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3

フライヤ (5)

	Resource title	Latest update
PDF	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0	08 May 2020	08 May 2020 ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
PDF	STPOWER SiC MOSFET : The real breakthrough in high-voltage switching 1.0	01 Feb 2021	01 Feb 2021 STPOWER SiC MOSFET : The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
PDF	STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0	14 Oct 2020	14 Oct 2020 STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0
PDF	SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1	15 May 2020	15 May 2020 SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1
PDF	SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0	18 Mar 2021	18 Mar 2021 SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0

パンフレット (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		23 Mar 2020	23 Mar 2020 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1

カンファレンス･ペーパー (5 of 7)

	Resource title	Latest update
PDF	3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
PDF	Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
PDF	Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
PDF	SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
PDF	Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
PDF	Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
PDF	Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

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SPICE models (1)

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ZIP	SCTL35N65G2V SPICE model 1.0		30 Mar 2021	30 Mar 2021 SCTL35N65G2V SPICE model 1.0

品質 & 信頼性

製品型番	Marketing Status	パッケージ	グレード	RoHSコンプライアンスグレード	材料宣誓書**
SCTL35N65G2V	量産中	PowerFLAT 8x8 HV	インダストリアル	Ecopack2

SCTL35N65G2V

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

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Marketing Status

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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PowerFLAT 8x8 HV

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SCTL35N65G2V

製品ステータス

量産中

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詳細情報

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販売代理店在庫SCTL35N65G2V

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梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

PowerFLAT 8x8 HV

Operating Temperature (°C)

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(最大)

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10.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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