SCTL35N65G2V

量産中

PowerFLAT 8 x 8 HVパッケージで提供される650V、55mΩ(Typ.)、40AのSiCパワーMOSFET

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製品概要

概要

SCTL35N65G2Vは、STの先進的かつ革新的な第2世代SiC MOSFETテクノロジーを使用して開発されたSiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETです。きわめて低いオン抵抗(単位面積あたり)と優れたスイッチング性能を備え、接合部温度に対して安定したスイッチング損失を特徴とします。
  • 特徴

    • 高速かつ堅牢な内蔵ボディ・ダイオード
    • 低い静電容量
    • 高効率を実現するソース・センシング・ピン

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - SCTL35N65G2V

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTL35N65G2V
量産中
PowerFLAT 8x8 HV インダストリアル Ecopack2

SCTL35N65G2V

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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STから購入
製品ステータス
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パッケージ
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販売代理店
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DIGIKEY WORLDWIDE 88 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 48 1 発注する

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販売代理店

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 8x8 HV - - CHINA 10.0 / 1k

SCTL35N65G2V

製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99

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10.0 / 1k

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DIGIKEY WORLDWIDE 88 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 48 1 発注する

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

PowerFLAT 8x8 HV

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

10.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。