SCTW35N65G2VAG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

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STMicroelectronics - SCTW35N65G2VAG

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW35N65G2VAG
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HIP247 オートモーティブ Ecopack2

SCTW35N65G2VAG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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DIGIKEY WORLDWIDE 470 1 発注する
RS COMPONENTS EUROPE 38 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 631 1 発注する
Farnell Element14 EUROPE 6 1 発注する

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販売代理店

DIGIKEY

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RS COMPONENTS

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EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA 10.0 / 100

SCTW35N65G2VAG

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

10.0 / 100

販売代理店在庫SCTW35N65G2VAG

販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク
DIGIKEY WORLDWIDE 470 1 発注する
RS COMPONENTS EUROPE 38 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 631 1 発注する
Farnell Element14 EUROPE 6 1 発注する

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販売代理店

DIGIKEY

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470

Min.Order

1

地域

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RS COMPONENTS

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MOUSER

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631

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1

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Farnell Element14

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6

Min.Order

1

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

10.0 / 100

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。