SCTW40N120G2VAG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance

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    • 製品型番
      ステータス
      概要
      タイプ
      サプライヤ

      STDES-PFCBIDIR

      量産中

      15 kW, three-phase, three-level Active Front End (AFE) bidirectional converter for industrial and electric vehicle DC fast charging applications

      電源&コンバータ・ソリューション用評価ボード ST
      STDES-PFCBIDIR

      概要:

      15 kW, three-phase, three-level Active Front End (AFE) bidirectional converter for industrial and electric vehicle DC fast charging applications

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STMicroelectronics - SCTW40N120G2VAG

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW40N120G2VAG
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HIP247 オートモーティブ Ecopack2

SCTW40N120G2VAG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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パッケージ

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。