SCTW90N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances

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HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCTW90N65G2V

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HIP247

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA 39.0 / 1k

SCTW90N65G2V

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ECCN (EU)

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梱包タイプ

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パッケージ

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

39.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。