製品概要
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.-
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
All tools & software
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製品スペック (1)
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30 May 2017 | 30 May 2017 |
アプリケーションノート (5)
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25 Oct 2016 | 25 Oct 2016 | |||
13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
07 Jan 2019 | 07 Jan 2019 | |||
17 Mar 2021 | 17 Mar 2021 | |||
13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
フライヤ (5)
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22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
26 Mar 2021 | 26 Mar 2021 | |||
25 Sep 2019 | 25 Sep 2019 | |||
08 May 2020 | 08 May 2020 | |||
13 Jun 2019 | 13 Jun 2019 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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SPICE models (1)
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ZIP | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STD80N6F6 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | DPAK | - | - | CHINA |
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。