製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Logic level gate drive
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 30 A
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Tight parameters distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
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製品スペック (1)
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| 03 Jul 2017 | 03 Jul 2017 |
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| 04 May 2020 | 04 May 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB30H60DLLFBAG
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| ZIP | 21 Feb 2017 | 21 Feb 2017 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB30H60DLLFBAG | 量産中 | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | D2PAK | オートモーティブ | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | 1 distributors | Free Sample Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | D2PAK | -55 | 175 | CHINA | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | |||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
