製品概要
概要
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
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製品スペック (1)
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| 25 May 2020 |
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| 22 May 2020 |
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| 04 May 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB50H65FB2
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| ZIP | 06 Apr 2020 |
06 Apr 2020
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB50H65FB2 |
量産中
|
Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
|
STGB50H65FB2
Package:
Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packageMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGB50H65FB2 | 1 distributors |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | D2PAK | - | - | CHINA | Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | ||||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
