製品概要
概要
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- High speed switching
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Short-circuit rated
- Ultrafast soft recovery antiparallel diode
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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| 06 Mar 2020 |
06 Mar 2020
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アプリケーションノート (2)
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| 19 Mar 2021 |
19 Mar 2021
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| 19 Mar 2021 |
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フライヤ (2)
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| 18 Mar 2021 |
18 Mar 2021
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| 04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGF10H60DF
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
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SPICE models (1)
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| ZIP | 10 Dec 2014 |
10 Dec 2014
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF10H60DF |
量産中
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Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGF10H60DF | 1 distributors |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed | 0.75 / 1k | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
0.75 / 1k（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
