製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- 6 µs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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11 Apr 2017 | 11 Apr 2017 |
アプリケーションノート (2)
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19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 |
フライヤ (2)
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18 Mar 2021 | 18 Mar 2021 | |||
04 May 2020 | 04 May 2020 |
パンフレット (1)
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23 Mar 2020 | 23 Mar 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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ZIP | 04 May 2016 | 04 May 2016 |
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGF10M65DF2 | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGF10M65DF2
Package:
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||||
STGF10M65DF2 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | 1.0 / 1k |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。