STGFW20V60DF

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

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製品型番 Marketing Status 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGFW20V60DF
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed TO-3PF インダストリアル Ecopack1

STGFW20V60DF

Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

Material Declaration**:

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General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

Package

TO-3PF

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tube TO-3PF -55 175 1.75 / 1k
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Country of Origin:

SOUTH KOREA

概要:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

STGFW20V60DF

製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99

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1.75 / 1k

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO-3PF

Operating Temperature (°C)

(最小)

-55

(最大)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.75 / 1k

Country of Origin

SOUTH KOREA

概要

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。