製品概要
概要
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 30 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
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製品スペック (1)
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18 Mar 2021 | 18 Mar 2021 |
アプリケーションノート (4)
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19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
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18 Mar 2021 | 18 Mar 2021 | |||
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04 May 2020 | 04 May 2020 |
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ZIP | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGFW30H65FB | 量産中 | Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT | TO-3PF | インダストリアル | Ecopack1 | |
STGFW30H65FB
Package:
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||||
STGFW30H65FB | 1 distributors | Free Sample Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-3PF | -55 | 175 | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT | 2.8 / 1k |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。