製品概要
概要
These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.-
特徴
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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| 13 Apr 2017 |
13 Apr 2017
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アプリケーションノート (2)
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| 19 Mar 2021 |
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| 19 Mar 2021 |
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フライヤ (2)
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| 18 Mar 2021 |
18 Mar 2021
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| 04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGP19NC60HD
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Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGP19NC60HD |
量産中
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19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGP19NC60HD
Package:
19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diodeMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGP19NC60HD | 2 distributors | Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | -55 | 150 | CHINA | 19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode | |||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
