製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the improved "H" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat)= 1.6 V (typ.) @ IC= 60 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Low VFsoft recovery co-packaged diode
- Lead free package
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製品スペック (1)
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| 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
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| 04 May 2020 | 04 May 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGW60H60DLFB
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| ZIP | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGW60H60DLFB | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 60 A high speed | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGW60H60DLFB
Package:
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 60 A high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGW60H60DLFB | 3 distributors | Free Sample Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 60 A high speed | 3.8 / 1k | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
