製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
- Tight parameter distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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23 Nov 2017 |
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アプリケーションノート (3)
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19 Mar 2021 |
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30 Jan 2019 |
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フライヤ (3)
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18 Mar 2021 |
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04 May 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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SPICE models (1)
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ZIP | 11 Sep 2017 |
11 Sep 2017
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品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGWA30H65DFB |
量産中
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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package | TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGWA30H65DFB
Package:
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads packageMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||||
STGWA30H65DFB |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-247 long leads | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package |
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。