STH270N4F3-6

NRND

Automotive-grade N-channel 40 V, 1.4 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-6 package

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製品概要

概要

This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
  • 特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Conduction losses reduced
    • Low profile, very low parasitic inductance, high current package

推奨コンテンツ

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      STPOWER MOSFET Finder

      概要:

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STH270N4F3-6

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

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フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH270N4F3-6
NRND
H2PAK-6 オートモーティブ Ecopack1

STH270N4F3-6

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

H2PAK-6

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.637 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィス または販売代理店 までお問い合わせください。