STH320N4F6-6

量産中

N-channel 40 V, 1.1 mOhm typ., 200 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package

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製品概要

概要

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

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    • 製品型番
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      STPOWER MOSFET Finder

      量産中

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

      Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

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      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STH320N4F6-6

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH320N4F6-6
量産中
H2PAK-6 オートモーティブ Ecopack1

STH320N4F6-6

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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製品ステータス
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STH320N4F6-6

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-6 - - CHINA

STH320N4F6-6

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

H2PAK-6

Operating Temperature (°C)

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-

(最大)

-

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィス または販売代理店 までお問い合わせください。