製品概要
概要
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.-
特徴
- Industry’s lowest RDS(on) * area
- Industry's best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
注目ビデオ
All tools & software
All resources
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製品スペック (1)
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30 Sep 2015 |
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アプリケーションノート (4)
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13 Sep 2018 |
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13 Sep 2018 |
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13 Sep 2018 |
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技術ノート & 解説 (1)
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13 Nov 2016 |
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ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 |
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フライヤ (5)
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24 Nov 2020 |
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22 Feb 2021 |
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08 Jan 2021 |
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06 Oct 2020 |
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08 May 2020 |
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パンフレット (1)
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23 Mar 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
All resources
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SPICE models (1)
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ZIP | 11 Dec 2020 |
11 Dec 2020
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品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STU2N80K5 | 3 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | IPAK | - | - | CHINA |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。