製品概要
概要
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.-
特徴
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best FoM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
注目ビデオ
All tools & software
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製品スペック (1)
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17 Jul 2017 | 17 Jul 2017 |
アプリケーションノート (4)
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13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
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13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
技術ノート & 解説 (1)
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13 Nov 2016 | 13 Nov 2016 |
ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
フライヤ (5)
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24 Nov 2020 | 24 Nov 2020 | |||
22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
08 Jan 2021 | 08 Jan 2021 | |||
06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | |||
08 May 2020 | 08 May 2020 |
パンフレット (1)
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23 Mar 2020 | 23 Mar 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STU3N80K5 | 1 distributors | Free Sample Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | IPAK | - | - | CHINA |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。