RF5L08350CB4

量産中

400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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製品概要

概要

The RF5L08350CB4 is a 400 W 50 V high-performance, internally matched LDMOS FET, designed for multiple applications over the frequency band 0.4 to 1 GHz.
  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internally matched for ease of use
    • Large positive and negative gate/source voltage range
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

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3D model

3D models

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
RF5L08350CB4
量産中
B4E インダストリアル N/A

RF5L08350CB4

Package:

B4E

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

B4E

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
RF5L08350CB4

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tape And Reel B4E - -

RF5L08350CB4

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

B4E

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。