SD56060

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RF power transistor from the LdmoST family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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製品概要

概要

The device is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1 GHz. It is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for applications from 1 to 1000 MHz.

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SD56060
量産中
M246 インダストリアル Ecopack1

SD56060

Package:

M246

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

M246

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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製品型番
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STから購入
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販売代理店
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販売代理店

AVNET

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AMERICA 発注する

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EAR99 NEC Loose Piece M246 - -

SD56060

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

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販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク
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販売代理店

AVNET

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112

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

M246

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。