製品概要
概要
The STAC9200 is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband applications in the HF to 1300 MHz frequency range. The STAC9200 benefits from the latest generation of efficient STAC package technology.-
特徴
- Improved ruggedness: V(BR)DSS > 80 V
- Load mismatch 65:1 all phases at 200 W, 32 V, 860 MHz, PW 1ms, DC = 10%
- POUT = 200 W min. (230 W typ.) with 16 dB gain at 860 MHz
- In compliance with the 2002/95/EC European directive
- ST air-cavity STAC packaging technology
All resources
| Resource title | Latest update |
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製品スペック (1)
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| 30 Mar 2020 | 30 Mar 2020 |
フライヤ (4)
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| 06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | |||
| 07 Jul 2020 | 07 Jul 2020 | |||
| 07 Jul 2020 | 07 Jul 2020 | |||
| 17 Dec 2019 | 17 Dec 2019 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STAC9200
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STAC9200 | 量産中 | STAC780-4B | インダストリアル | Ecopack1 | |
STAC9200
Package:
STAC780-4BMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||
| STAC9200 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Loose Piece | STAC780-4B | - | - | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
