STAC9200

量産中

200 W, 32 V HF to 1.3 GHz LDMOS transistor in a STAC package

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製品概要

概要

The STAC9200 is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband applications in the HF to 1300 MHz frequency range. The STAC9200 benefits from the latest generation of efficient STAC package technology.
  • 特徴

    • Improved ruggedness: V(BR)DSS > 80 V
    • Load mismatch 65:1 all phases at 200 W, 32 V, 860 MHz, PW 1ms, DC = 10%
    • POUT = 200 W min. (230 W typ.) with 16 dB gain at 860 MHz
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive
    • ST air-cavity STAC packaging technology

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3D model

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STAC9200
量産中
STAC780-4B インダストリアル Ecopack1

STAC9200

Package:

STAC780-4B

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

STAC780-4B

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
STAC9200

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Loose Piece STAC780-4B - -

STAC9200

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

STAC780-4B

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。