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STM32F429/439

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STM32F429/439系列集成Cortex-M7内核性能(具有浮点单元),工作频率为180 MHz,同时可达到与STM32F405/415/407/F417相当的较低静态功耗(停止模式)。

性能:在180 MHz频率下,从Flash执行时,STM32F429/439能够提供225 DMIPS/608 CoreMark性能,并且利用意法半导体的ART加速器实现了FLASH零等待状态。DSP指令和浮点运算单元扩大了产品的应用范围。

功效:该系列产品采用意法半导体90 nm工艺和ART加速器,具有动态功耗调整功能,能够在运行模式下和从Flash存储器执行时实现低至260 µA/MHz的电流消耗(@ 180 MHz)。停机模式下,它的功耗为120 µA(典型值),这比STM32F405/415/407/F417低了3倍。

图形:充分利用了Chrom‑ART Accelerator™的优势,支持双层图形的新型LCD-TFT 控制器接口。该图形加速器创建内容的速度达到单独使用内核时的两倍。除了高效的2-D原始数据复制以外,Chrom-ART加速器还支持其他功能,比如图像格式转换或图像融合(透明度混合)。这样,Chrom-ART加速器就提高了图形内容创建速度,为其余程序节省了MCU内核处理带宽。

集成模块:

  • 音频:2个专用的音频PLL,2个全双工I²S和一个新型串行音频接口(SAI),支持时分复用(TDM)模式
  • 多达20个通信接口(包括4个USART、4个速度达11.25 Mbit/s的UART、6个速度达45 Mbit/s的SPI、3个具有新型可选数字滤波器功能的I²C、2个CAN、SDIO)
  • 模拟:两个12位DAC,三个速度可达2.4 MSPS或7.2 MSPS(交错模式下)的12位ADC,并有多达
    17个定时器:16位和32位,工作频率可达180 MHz
  • 使用灵活的90 MHz存储控制器可以轻松扩展存储范围,带有一个32位的并行接口,能支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR、 NAND以及SDRAM存储器
  • 基于模拟技术的随机数发生器 
  • STM32F439还集成了加密/哈希模块,为AES-128, -192和-256实现了硬件加速,并且支持GCM和CCM、3DES与哈希(MD5、SHA-1和SHA-2)

STM32F429和STM32F439系列产品采用5 x 5.1 mm的小型封装,提供512KB闪存~2MB双区闪存、256KB SRAM,引脚数范围100~216。由于集成了这些存储器,就会减少对外部存储器的需求,实现更小、更安全的低辐射PCB设计。