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三半桥高压栅极驱动器

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STDRIVE601是采用BCD6s离线技术制造的高压器件。它是一种带有三重半桥栅极驱动器的单晶片,面向N沟道功率MOSFET或IGBT(适合于三相应用)。 所有器件输出可以分别提供350 mA的灌电流和200 mA的拉电流。互锁和死区功能可防止交叉传导。
该器件有专门的输入引脚(对应每个输出)和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL(可低至3.3 V),易于与控制器件连接。低侧和高侧之间的匹配时延保证脉冲不失真,允许高频操作。
STDRIVE601内嵌的比较器集成了先进的SmartSD功能,确保快速有效地防止过流、超温等故障发生。
在低侧和每个高侧驱动部分有专门的UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
集成式自举二极管和该IC的所有集成特性使应用PCB设计更轻松、紧凑和简单,从而降低了整体物料成本。
该器件采用SO-28封装。
  • 所有功能

    • 高压导轨达600 V
    • 驱动器电流能力:
      • STDRIVE601:
      • 200 mA 拉电流 @ 25 °C
      • 350 mA 灌电流 @ 25 °C
    • dV/dt瞬态抗扰度±50 V/ns
    • 栅极驱动电压范围:9 V 至20 V
    • 总输入 - 输出传播延迟:85 ns
    • 面向所有通道的匹配传播时延
    • 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
    • 集成自举二极管
    • 比较器,用于快速过流保护
    • 智能关断功能
    • 互锁和死区功能
    • 专用的使能引脚
    • 在低侧和高侧实现UVLO功能

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