SCTW35N65G2V

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碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装

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This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 所有功能

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)

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      STDES-PFCBIDIR

      批量生产

      15 kW, three-phase, three-level Active Front End (AFE) bidirectional converter for industrial and electric vehicle DC fast charging applications

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      STDES-PFCBIDIR

      描述:

      15 kW, three-phase, three-level Active Front End (AFE) bidirectional converter for industrial and electric vehicle DC fast charging applications

      STDES-VIENNARECT

      批量生产

      15 kW, three-phase Vienna rectifier with low cost mixed-signal control for power factor correction

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      STDES-VIENNARECT

      描述:

      15 kW, three-phase Vienna rectifier with low cost mixed-signal control for power factor correction

      STEVAL-DPSTPFC1

      批量生产

      使用TN3050H-12WY和SCTW35N65G2V的3.6 kW PFC图腾柱,具有浪涌电流限流器参考设计

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      STEVAL-DPSTPFC1

      描述:

      使用TN3050H-12WY和SCTW35N65G2V的3.6 kW PFC图腾柱,具有浪涌电流限流器参考设计

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STMicroelectronics - SCTW35N65G2V

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTW35N65G2V
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HIP247 工业 Ecopack2

SCTW35N65G2V

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HIP247

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HIP247

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Ecopack2

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包装类型

Tube

封装

HIP247

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Country of Origin

CHINA

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