SCTWA90N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package

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描述

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 所有功能

    • High speed switching performance
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTWA90N65G2V
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HIP247 long leads 工业 Ecopack2

SCTWA90N65G2V

Package:

HIP247 long leads

Material Declaration**:

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Package

HIP247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube HIP247 long leads - - CHINA

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EAR99

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DIGIKEY WORLDWIDE 50 1 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 56 1 马上订购

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DIGIKEY

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

HIP247 long leads

Operating Temperature (°C)

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-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商