STD100N10LF7AG

NRND

汽车级N沟道100 V、5 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装

下载数据手册
概述
Online design
样片和购买
解决方案
文件
CAD资源
工具与软件
质量与可靠性
Partner products
Sales Briefcase

产品概述

描述

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
  • 所有功能

    • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
    • 处于市场上最低RDS(on) 的行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

特别推荐

All tools & software

    • 产品型号
      状态
      描述
      类型
      供应商

      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STD100N10LF7AG

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型,加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择,以匹配您的设计工具链。

Symbols

符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD100N10LF7AG
NRND
DPAK 汽车应用 Ecopack1

STD100N10LF7AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
从分销商订购
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小值
最大值
STD100N10LF7AG 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处
NRND
EAR99 NEC Tape And Reel DPAK - - CHINA

STD100N10LF7AG

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

DPAK

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商