STGFW20H65FB

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650 V、20 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

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    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

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      STPOWER IGBT Finder

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGFW20H65FB
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT TO-3PF 工业 Ecopack1

STGFW20H65FB

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT

Package

TO-3PF

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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SOUTH KOREA

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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT

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NEC

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Tube

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Country of Origin

SOUTH KOREA

一般描述

Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商