STGFW40V60DF

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600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

特别推荐

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    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      查找器App ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

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STMicroelectronics - STGFW40V60DF

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGFW40V60DF
批量生产
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed TO-3PF 工业 Ecopack1

STGFW40V60DF

Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

Package

TO-3PF

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO-3PF -55 175 3.1 / 1k
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Country of Origin:

SOUTH KOREA

一般描述:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STGFW40V60DF

供货状态

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ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

3.1 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-3PF

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

3.1 / 1k

Country of Origin

SOUTH KOREA

一般描述

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商