STGWA20H65DFB2

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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

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The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
  • 所有功能

    • Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
    • Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
    • Very fast and soft recovery co-packaged diode
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWA20H65DFB2
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package TO-247 long leads 工业 Ecopack2

STGWA20H65DFB2

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247 long leads

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

一般描述

Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商