产品概述
描述
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.-
所有功能
- AEC-Q101 qualified
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best FoM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
精选 视频
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
All tools & software
全部资源
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产品规格 (1)
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| 17 Jun 2020 | 17 Jun 2020 |
应用手册 (4)
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| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
技术文档 (1)
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| 13 Nov 2016 | 13 Nov 2016 |
用户手册 (1)
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| 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
宣传册 (5)
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| 24 Nov 2020 | 24 Nov 2020 | |||
| 22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
| 08 Jan 2021 | 08 Jan 2021 | |||
| 06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | |||
| 08 May 2020 | 08 May 2020 |
手册 (1)
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| 03 Jun 2021 | 03 Jun 2021 |
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STH13N120K5-2AG
为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型，加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择，以匹配您的设计工具链。
符号
封装
3D模型
全部资源
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SPICE models (1)
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| ZIP | 28 Apr 2020 | 28 Apr 2020 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
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| STH13N120K5-2AG | 批量生产 | H2PAK-2 | 汽车应用 | Ecopack1 | |
STH13N120K5-2AG
Package:
H2PAK-2Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。
样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STH13N120K5-2AG | 1 distributors | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-2 | - | - | CHINA | 8.0 / 1k | ||
供货状态
批量生产ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
8.0 / 1k