STH260N6F6-2

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N沟道60 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F6功率MOSFET,H2PAK-2封装

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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

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H2PAK-2 工业 Ecopack1

STH260N6F6-2

Package:

H2PAK-2

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H2PAK-2

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Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - CHINA

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-2

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-

(最大值)

-

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