STI45N10F7

NRND

N沟道100 V、0.013 Ohm典型值、45 A STripFET F7功率MOSFET,I2PAK封装

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该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
  • 所有功能

    • 处于市面上最低的RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

特别推荐

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      STPOWER MOSFET Finder

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STMicroelectronics - STI45N10F7

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STI45N10F7
NRND
I2PAK 工业 Ecopack2

STI45N10F7

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

I2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

I2PAK

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-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商