STW12N150K5

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N沟道1500 V、1.6 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

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产品概述

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This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
  • 所有功能

    • Industry’s lowest RDS(on) *area
    • Industry’s best figure of merit (FoM)
    • Ultra low gate charge
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

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STMicroelectronics - STW12N150K5

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW12N150K5
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TO-247 工业 Ecopack2

STW12N150K5

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TO-247

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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NEC

包装类型

Tube

封装

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CHINA

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