产品概述
描述
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。-
所有功能
- 业界领先的低 RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数(FoM)
- 极低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
精选 视频
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产品规格 (1)
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25 Sep 2017 | 25 Sep 2017 |
应用手册 (4)
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13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
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13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
技术文档 (1)
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13 Nov 2016 | 13 Nov 2016 |
用户手册 (1)
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21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
宣传册 (5)
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24 Nov 2020 | 24 Nov 2020 | |||
22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
08 Jan 2021 | 08 Jan 2021 | |||
06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | |||
08 May 2020 | 08 May 2020 |
手册 (1)
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23 Mar 2020 | 23 Mar 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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SPICE models (1)
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ZIP | 19 Feb 2015 | 19 Feb 2015 |
质量与可靠性
产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
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STW13N80K5 | 批量生产 | TO-247 | 工业 | Ecopack2 | |
STW13N80K5
Package:
TO-247Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持 。
样片和购买
产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度(ºC) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小值 | 最大值 | |||||||||||
STW13N80K5 | 3 distributors | Free Sample Buy Direct | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | - | - | CHINA |