产品概述
描述
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。-
所有功能
- 业界领先的低 RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数（FoM）
- 极低的栅极电荷
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
精选 视频
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
All tools & software
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
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产品规格 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 3.0 | 31 May 2018 | 31 May 2018 |
应用手册 (4)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.1 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | ||
| 1.4 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | ||
| 1.3 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | ||
| 1.1 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
技术文档 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 13 Nov 2016 | 13 Nov 2016 |
用户手册 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.3 | 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
宣传册 (5 of 6)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 24 Nov 2020 | 24 Nov 2020 | ||
| 1.0 | 22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | ||
| 1.0 | 08 Jan 2021 | 08 Jan 2021 | ||
| 1.0 | 06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | ||
| 1.0 | 08 May 2020 | 08 May 2020 | ||
| 1.0 | 05 Jul 2021 | 05 Jul 2021 |
手册 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.1 | 03 Jun 2021 | 03 Jun 2021 |
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STW8N120K5
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供货状态
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