RF2L16180CB4

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180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

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The RF2L16180CB4 is a 180 W, internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.
  • 所有功能

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internally matched for ease of use
    • Optimized for Doherty applications
    • Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

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EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - RF2L16180CB4

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符号

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3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
RF2L16180CB4
批量生产
B4E 工业 N/A

RF2L16180CB4

Package:

B4E

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

B4E

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
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包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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批量生产
EAR99 NEC Tape And Reel B4E - - CHINA

RF2L16180CB4

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

B4E

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商