高温双向三端晶闸管

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我们的T系列三端双向可控硅和6H/8H三端双向可控硅专为高温开关控制和改进性能而设计,非常适合额定电压为600 V或800 V的4至50 A应用。 

  

  • 800 V,150°C 8H高温三端双向可控硅

    意法半导体的8H三端双向可控硅是专为热密集型重负载应用而设计的高压(800 V)开关,由于其在高达150°C的温度下不受影响的额定性能,它完全满足电力线性能和绝缘性的要求,非常适合在越来越紧凑的模块中驱动条件苛刻的负载。

    从230 V单相电源到400 V三相电源,意法半导体的8H三端双向可控硅的设计用途是作为交流电源开关,用于热水器、工业自动化、暖通空调、卷帘和建筑照明控制单元。这些三端双向可控硅具有snubberless™瞬态电压耐受性能,能够有效地适应交流联网应用中常见的EMI干扰和不稳定的电源环境。

    由于泄漏电流低且稳定,瞬态电流开关能力是额定电流的两倍,电流范围为8 - 30 A的8H三端双向可控硅确保优异的开关能力。8H三端双向可控硅可采用陶瓷绝缘TO-220AB封装、D2PAK封装或传统的TO-220AB包装,结温(TJ)最高可达150℃,因此设计人员可以减小解决方案中散热器的尺寸。作为一种硅半导体和固态解决方案,该系列相比传统继电器具有某些优点,包括无火花和无老化开关特性。

  • 600 V,150°C 8H高温三端双向可控硅

    意法半导体的6H高温(600 V)三端双向可控硅具有高浪涌和瞬态电流能力,专为使用交流电源的设备(包括电机、高端家用电器、供热装置、咖啡机和食品加工机)而设计。

    栅极电流为10 - 50 mA的版本使其可以通过MCU端口轻松驱动,同时仍然确保符合IEC61000-4-4要求的标准6 kV瞬态电压耐受性能。

    由于能够控制高达其额定IT(RMS)4倍的瞬态电流,设计人员可以使用更小的三端双向可控硅完成同样的工作;对感应负载来说,这是一个特别有价值的特性。或通过增强的150°C结温(TJ)减小散热器尺寸,确保体积更小、功能更稳定的电器拥有更高的热余量。

  • T系列高温(800 V)三端双向可控硅

    意法半导体的T系列高温三端双向可控硅专为电器控制中越来越多的AC负载而设计,适用于具有高EMI限制的应用。这些交流电器开关可同时满足对高抗干扰能力和高换向能力的需求,提供经济划算的电源控制解决方案。

    该系列的抗干扰能力(dV/dt)和换向能力(dI/dt)更能符合使用需求,即使栅极电流Igt很低。对于所有栅极电流为10 mA的版本来说,最后一个参数是关键,因为它有助于优化电源,并通过在微控制器和可控硅之间接一电阻实现直接驱动能力。

    6~20 A 800 V T系列三端双向可控硅(采用35 mA 和800 V栅极额定值)现在可采用D²PAK封装,为更大范围的负载提供改进的EMC抗干扰性和换向。

    此外,还提高了瞬时耐冲击电流(ITSM)、抗干扰能力和换向能力之间的均衡度。它领先于普通产品,是目前市面上独一无二的。

设计人员现在可以使用我们的在线Triac / 交流开关模拟器获取更多关于设计特性的信息并为您的应用选择最佳器件。

高温三端双向可控硅属于我们的STPOWER系列。

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800 V T系列三端双向可控硅开关在负载控制方面胜过竞争产品

800 V T系列高性能三端双向可控硅开关专为工业控制和家用电器内的AC负载而设计,实现了创新型安全AC负载控制。这款高性能800 V T系列三端双向可控硅开关的抗扰度(dV/dt)和换向能力(dI/dt)分别是先进三端双向可控硅开关的2倍和5倍,提高了电路的抗EMI能力,并且能够全面控制负载,而没有任何干扰。其低至10 mA的栅电流有助于优化电源,并且能够通过微控制器与三端双向可控硅开关之间的单电阻实现直接驱动能力。800 V T系列双向可控硅采用TO-220AB、TO-220FPAB 、D2PAK(现在)封装。

 

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